报告题目：高性能钙钛矿半导体光电器件

报告时间：2023年7月13日15:00

报告地点：实验三楼102室

报告人：游经碧 研究员

主办单位：化学与分子工程学院

摘要：金属卤化物钙钛矿作为一类新型半导体光电材料，既具有无机半导体优异光电性能，又具备有机半导体低成本可印刷制备的优点，是当前半导体光电器件领域的研究前沿。近年来，钙钛矿光电器件转换效率取得了巨大的进展，钙钛矿太阳能电池光电转换效率已达到26.0%，可与传统电池媲美；基于钙钛矿的发光二极管的绿光、红光外量子效率已超过25%，并保持迅猛发展态势。本报告将系统介绍我们团队在钙钛矿电池和发光二极管两方面的研究工作。

报告人简介：游经碧，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家杰出青年科学基金和中国科学院青年科学家奖获得者。2005年于湖北大学电子科学技术系获学士学位，2010年在中国科学院半导体研究所获博士学位，2010-2015年在美国加州大学洛杉矶分校材料科学与工程系从事博士后研究。至今主持/负责包括国家重点研发计划项目、中国科学院创新交叉团队等项目。是中国可再生能源学会理事、光伏专委会委员，《Photonic Research》期刊副主编以及中国物理学会四刊青年编委。近年来，在Science, Nature系列等期刊发表学术论文100余篇，共被他引30000余次。